A spintrônica e os padrões fractais
13
Aug
A velocidade dos dispositivos eletrônicos em geral, e principalmente da eletrônica digital, depende da capacidade dos dispositivos de mudar o fluxo de eletricidade e no caso dos semicondutores dependem do tipo de material, no caso do silício do qual são feitos a maioria dos dispositivos este limite foi atingido, enquanto no caso da spintrônica, assim como a eletrônica é fundamentada em elétrons a spintrônica é fundamentada no funcionamento nos spins dos elétrons e o fluxo no spin era envolto em mistério, apesar de décadas de exame.
Porem resultados publicados em fevereiro na revista Science, por uma equipe de Princeton, liderada por Ali Yazdani observaram que os elétrons em um semicondutor à beira da transição metal-isolante que é uma chave fundamental para realizar a operação digital, descobriram padrões complexos semelhantes a padrões fractais conforme a revista Science Daily.
O trabalho conseguiu obter um flagrante no momento de transição, e os elétrons formados complexos padrões semelhantes àquelas observadas em fluidos turbulentos que também tem padrões fractais, o que confirmou algumas previsões de longa data e fornecer novos insights sobre como os semicondutores podem ser transformados em ímãs.
O trabalho levou a pensar na produção de computadores menores e mais eficientes em termos energéticos e agora uma nova pesquisa mostra a possibilidade de construir memórias nesta lógica e usando material plástico, a velocidade das memórias é crítica na velocidade dos dispositivos.
O trabalho publicado agora na edição de julho da revista Nature Materials, Arthur J. Epstein e seus colegas descrevem como eles criaram um protótipo de plástico de um dispositivo spintrônico usando técnicas encontradas na indústria de computadores de hoje, com a diferença que o filme de material isolante do semicondutor agora é um material magnético chamado “orgânico azul” que é na composição parecido aos imãs encontrados em geladeiras.
O polímero de semicondutores magnéticos neste estudo, o vanádio tetracyanoethanide, é o primeiro imã de base orgânica, que opera acima da temperatura ambiente. Ele foi desenvolvido por Epstein e uma longa colaboração como prof. Joel S. Miller, da Universidade de Utah, e o pesquisador Jung-Woo Yoo sendo o material um desenvolvido marco importante na investigação spintrônica.
“Nossa principal conquista é que nós aplicamos este ímã de semicondutores à base de polímero como um polarizador spin – o que significa que poderia salvar os dados (spin up e down) sobre o mesmo com um pequeno campo magnético – e um detector de spin – ou seja, podemos ler os dados de volta “, disse Epstein acrescentando: “Agora, estamos mais perto de construir um dispositivo inteiro de material orgânico”, em reportagem na revista Science Daily.
