Velocidade e armazenamento: o limite do silício
30
set
Já há algum tempo o limite de velocidade e de armazenamento dos chips de silício está trazendo uma barreira para o
avanço da computação eletrônica, que podemos dizer do futuro do armazenamento, um novo dispositivo chamado PCM (Phase Change Material) pode ser capaz de ultrapassar estas barreiras.
Os novos processadores estão sendo produzidos por pesquisadores da Universidade de Cambridge, do Instituto A* STAR Data-Storage e da Universidade de Cingapura de Tecnologia e Design, usando um tipo de PCM com base num vidro de chalcogenidio, que pode ser fundido e cristalizado em menos da metade de um nanossegundo usado pulsos de tensão adequados.
A memória de estado sólido feita com base no silício, é utilizada para armazenar os resultados de feitos também em chips à base de silício. “No entanto, como a demanda por computadores mais rápidos continua a aumentar, estamos alcançando rapidamente os limites da capacidade do silício”, disse o professor Stephen Elliott, do Departamento de Química da Cambridge, que lidera a pesquisa.
Desenvolvido pela primeira vez na década de 1960, os PCMs foram originalmente usados em dispositivos de memória óptica, tais como DVDs regraváveis, mas agora estão começando a serem usados para aplicações de eletrônica de memória e já estão substituindo a memória flash baseada em silício em algumas marcas de smartphones.
Nestes dispositivos as operações lógicas e de memórias são co-localizados, em vez de separadas como nos computadores baseados no silício, podendo permitir velocidades de processamento entre 500 a 1000 vezes que um processador normal, usando menos energia, os resultados estão sendo publicados nos Processings da Academia Nacional de Ciências dos EUA.
