Arquivo para outubro 16th, 2012
Crescimento dos chips vai continuar
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A quase 50 anos, Gordon Moore anunciou uma lei que os dispositivos de processamento (os de memória são mais lentos) dobravam
sua velocidade a cada dois anos, por causa disto esta “lei” ficou conhecida como Lei de Moore.
No entanto o limite de velocidade usando os chips de silício estava sendo alcançado, por isto o uso dos fans (ventiladores dos chips), mas já em 2011, pesquisadores do mundo inteiro buscavam alternativas ao Silício, num laboratório de Stanford, Max Shulaker produziu, ainda que de modo artesanal, os menores circuitos do mundo usando uma tecnologia nova com os nanotubos de carbono, o material básico dos chips de grafeno, e depois disto aos poucos o processo foi se tornando industrial.
O novo tipo de material para chips é chamado CNFET(Transistores de efeito de campo de nanotubo de carbono), segundo o New York Times, o primeiro a produzir em laboratório foi feito no Robust System Group (há pesquisas desde 2002), um grupo liderado por Subhasish Mitra, ex-engenheiro da Intel, o chip feito na época tinha largura de 6 átomos de silício.
Publicamos recentemente um post (ver) que um grupo de pesquisadores e professores da Universidade Rice, entre eles o químico James Tour, encontraram um interessante efeito do óxido de carbono e silício, usando o grafeno, tendo como resultado uma memória em superfície transparente, que pode ser construída em 3D, com largura de um átomo de carbono.
Este dispositivo pode ser usado para memórias não-voláteis (substitui os Hardisk, pendrive e DVDs), resistentes ao calor, corrosão e a radiação.
